SS definieras som:
```
$$ SS =\frac{d V_{gs}}{d \log I_{ds}} $$
```
där:
* $$V_{gs}$$ är gate-to-source-spänningen
* $$I_{ds}$$ är drain-to-source-strömmen
SS mäts vanligtvis i millivolt per decennium. En lägre SS indikerar en effektivare MOSFET, eftersom det kräver mindre spänningssvängning för att ändra dräneringsströmmen.
SS påverkas av flera faktorer, inklusive:
* Grindoxidens tjocklek
* Doping av käll- och avloppsregionerna
* Kanallängden
* Temperaturen
Grindoxidens tjocklek är den viktigaste faktorn som påverkar SS. En tunnare gateoxid ger lägre SS. Men en tunnare gate-oxid gör också MOSFET:n mer mottaglig för nedbrytning.
Dopningen av käll- och avloppsregionerna påverkar också SS. En högre dopningskoncentration ger lägre SS. Men en högre dopningskoncentration ökar också parasitmotståndet hos MOSFET, vilket kan försämra dess prestanda.
Kanallängden är en annan viktig faktor som påverkar SS. En kortare kanallängd resulterar i en lägre SS. En kortare kanallängd gör dock även MOSFET mer mottaglig för kortkanalseffekter, vilket kan försämra dess prestanda.
Temperaturen påverkar även SS. En högre temperatur resulterar i en högre SS. Detta beror på att rörligheten för laddningsbärarna i MOSFET minskar när temperaturen ökar, vilket gör det svårare för MOSFET att växla mellan på och av.
SS är ett viktigt meritvärde för MOSFET:er, eftersom det indikerar hur effektivt de kan växla mellan på och av. Genom att optimera designen av MOSFET är det möjligt att uppnå en låg SS, vilket kan förbättra prestandan hos MOSFET.